GaN Protect氮化鎵研發(fā)進(jìn)入快車道

【概要描述】 GaN氮化鎵是提高整個(gè)系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開關(guān)”的電路構(gòu)件，即一個(gè)能將最小能量的數(shù)字信號(hào)，轉(zhuǎn)化為無損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。

詳情

GaN Protect氮化鎵

將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。

GaN氮化鎵是提高整個(gè)系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開關(guān)”的電路構(gòu)件，即一個(gè)能將最小能量的數(shù)字信號(hào)，轉(zhuǎn)化為無損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。

無論是“全橋”還是“半橋”電路設(shè)計(jì)，氮化鎵功率芯片都能夠支持。

氮化鎵功率芯片具備適用性極強(qiáng)的功率范圍和功能，能覆蓋移動(dòng)快速充電器，數(shù)據(jù)中心、消費(fèi)市場、可再生能源和電動(dòng)車/電動(dòng)交通工具等市場，從幾十瓦，到上千瓦的各種應(yīng)用，都能突顯它的優(yōu)勢(shì)！

GaN Protect 音特團(tuán)隊(duì)正在研發(fā)新一代功率保護(hù)器件，嵌入模組和單獨(dú)應(yīng)用！

GaN Protect 理論優(yōu)勢(shì)：

體積更小：GaN Protect 器件，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 2.7~3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。

速度更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常容易使用。通過簡單的“數(shù)字輸入、電源輸出”操作，布局和控制都很簡單。

更加環(huán)保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時(shí)的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。

可靠：GaN Protect 器件符合雙碳政策，更低的內(nèi)阻，它將會(huì)產(chǎn)生更少的熱量，所以產(chǎn)生風(fēng)險(xiǎn)risk更低

什么是GaN Protect？它是音特研發(fā)團(tuán)隊(duì)注冊(cè)的商標(biāo)，將GaN材料用于保護(hù)器件！

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